ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ

Программа конференции (PDF)

21 августа, понедельник

ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

Председатели: В. Бачурин

830-1000 РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ
1000-1020 ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ (A.И. Русаков, В. Бачурин, …)

21 августа, понедельник

Секция №1. Распыление, эрозия поверхности, десорбция

Председатели: Л. Беграмбеков, Ю.Мартыненко

1020-1045 Chernysh Vladimir, Russia
Effect of preferential sputtering during irradiation of alloys with atomic and cluster ions.
1050-1115 Kibalov Dmitriy, Russia
Self-forming hard nanomask and its induced coherency.
1120-1140 ПЕРЕРЫВ, кофе
1140-1155 А.Б. Толстогузов, П.А. Мажаров, А.Е. Иешкин, И.Н. Кутлусурин, С.И. Гусев. Распыление полупроводниковых соединений AIIIBV атомными и кластерными ионами висмута.
1200-1215 В.С. Михайлов, П.Ю. Бабенко, А.П. Шергин, А.Н. Зиновьев. Влияние шероховатости поверхности на коэффициенты распыления вольфрама изотопами водорода.
1220-1235 Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, М.А. Овчинников, Р.Х. Хисамов. Влияние деформационного наноструктурирования на ионно-лучевую эрозию металлов.
1240-1255 A.E. Ieshkin, D.S. Kireev, A.A. Tatarintsev, V.S. Chernysh, B.R. Senatulin, E.A. Skryleva. Sputtering A3B5 semiconductors with atomic and cluster argon ions.
1300-1330 Фотографирование участников конференции
1330-1430 Обед

21 августа, понедельник

Секция №2. Рассеяние и эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновских лучей при ионной бомбардировке

Председатели: A. Зиновьев, В. Бачурин

1430-1455 Roman Voronkov, Russia
Nonthermal effects in insulators under ultrafast electronic excitations.
1500-1525 Trombini Henrique, Brazil
Medium Energy Ion Scattering capabilities for characterization of nanostructures.
1530-1555 Ćosić Marko, Serbia
The Morphological analysis of the rainbow scattering effect in proton transmission through graphene.
1600-1615 ПЕРЕРЫВ, чай
1615-1630 В.П. Афанасьев, Д.С. Ефременко, Л.Г. Лобанова. Определение интенсивностей сигналов в спектроскопии пиков упруго отраженных электронов.
1635-1650 В.П. Афанасьев, Л.Г. Лобанова, В.И. Шульга. Отражение легких ионов от твердых тел.
1655-1710 А.Н. Зиновьев, П.Ю. Бабенко, В.С. Михайлов. Потенциалы взаимодействия протонов и атомов водорода с металлами.
1715-1730 N.E. Efimov, D.N. Sinelnikov, Y. Wang, Z.R. Harutyunyan, Y.M. Gasparyan, M.V. Grishaev, I.A. Nikitin, X. Tan. Quantitative analysis of the temperature driven chromium segregation in W-Cr-Y alloy by low energy ion scattering spectroscopy.
1735-1750 П.Ю. Бабенко, В.С. Михайлов, А.Н. Зиновьев. Влияние многократности соударений на величину электронных тормозных потерь.
1755-1810 I.K. Gainullin. On surface composition analysis with low energy alkali metal ions scattering
1815-1830 D.E. Melezhenko, S.A. Khlebnikov, A.A. Solovykh, A.A. Sycheva, Yu.A. Mankelevich, D.V. Lopaev, A.I. Zotovich, and E.N. Voronina. N2 plasma interaction with 2D MoS2: experiment and modeling.
1835-1935 Стендовые доклады (секции 1 и 2)
2000-2030 Ужин

22 августа, вторник

Секция №3. Имплантация ионов, модификация и анализ поверхности

Председатели: П. Карасев, В. Попов

1000-1025 Gogova Daniela, Bulgaria
Gallium oxide – a promising material for the next generation high-power electronics.
1030-1055 Dutt Shankar, Australia
Annealing of ion irradiation damage in amorphous silicon dioxide.
1100-1125 Guanghua Du, China
Imaging of the irradiation effects in microelectronics.
1130-1155 Chen Deyang, China
Application of ion implantation in ferroelectric materials.
1200-1215 ПЕРЕРЫВ, кофе
1215-1230 А. А. Никольская, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.А. Конаков, А.И.Охапкин, С.А. Краев, А.Д. Моисеев, А.А. Сушков, Д.А.Павлов, Д.И. Тетельбаум. Люминесцентные свойства и фазообразование в Si при ионном облучении SiO2/Si.
1235-1250 Е.В. Окулич, В.И. Окулич, Д.И. Тетельбаум. Апробация первопринципных методов для определения атомных конфигураций при ионной имплантации β-Ga2O3.
1255-1310 Д.И. Тетельбаум, А.А. Никольская, Д.С. Королев, А.В. Кудрин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, М.Н. Дроздов, А.А. Ревин, С.С. Чекушева, А.А. Конаков. Электрофизические свойства монокристаллов β-Ga2O3:Fe, ионно-легированных кремнием.
1315-1330 М.А. Смирнова, К.Н. Лобзов, М.Е. Лебедев, Л.А. Мазалецкий, Д.Э. Пухов, С.В. Васильев, В.И. Бачурин, А.Б. Чурилов. Волнообразные периодические структуры на поверхности кремния, инициируемые облучением фокусированным ионным пучком галлия.
1335-1430 Обед

22 августа, вторник

Секция № 3. Имплантация ионов, модификация и анализ поверхности.

Председатели: A. Титов, Д. Королев

1430-1455 Lorenz Katharina, Portugal
Defect engineering in wide bandgap semiconductors.
1500-1525 Tőkési Károly, Hungary
Determination of Optical Properties of Solids from Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy Spectra.
1530-1555 Vladimir Popov, Russia
Defects in silicon and high-k dielectrics of SOI and SOS structures after swift heavy ion Xe and Bi implanation.
1600-1625 A.Y. Polyakov, Russia
Hydrogen plasma influence on electrical properties and deep traps spectra of various polymorphs of Ga2O3 
1630-1645 Tea break
1645-1710 Platon Karaseov, Russia
Radiation damage accumulation in α-Ga2O3 under keV ion bombardment.
1715-1730 Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Е.А.Воробьева, М.А. Овчинников, В.В. Слепцов, Р.А.  Цырков. Эффекты микроструктуры углеродных материалов при ионно-лучевой модификации поверхности.
1735-1750 Л.Б.Беграмбеков, Н.А. Пунтаков, А.В. Грунин. Модификация структуры пиролитического графита и углеродных волокон под воздействием ионного облучения.
1755-1810 М.А. Моховиков, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, И.Н. Пархоменко, Л.А. Власукова, E. Wendler, Н.Н. Коваль, А.Д. Тересов. Оптико-структурные свойства Si, гипердопированного In и As: эффект электроннолучевого отжига.
1815-1830 E.A. Korneeva, A.S. Sohatsky, V.A. Skuratov, A. Mutali, A.M. Korsunsky, A.I. Salimon, E.S. Statnik, A. Ibrayeva, P.A. Somov, L. Kurpaska, T.N. Vershinina1, N.S. Kirilkin. Micromechanical testing of swift heavy ions irradiated materials.
1835-1935 Стендовые доклады (секции 3 и 4)
2000-2030 Ужин

23 августа, среда

Секция № 6. Ионное облучение в биологии и медицине

Председатели: E. Зыкова

1000-1025 О.И. Обрезков, В.А. Базылев, Ю.В. Мартыненко, М.Ю. Нагель. Применение плазменных и ионнолучевых технологий для производства покрытий на электроды кардиостимуляторов.
1030-1045 Н.Н. Черенда, А.Б.Петух, В.В. Углов, В.М.Асташинский, А.М. Кузьмицкий, С.Н. Григорьев, А.А. Верещака. Изменение морфологии поверхности сплава Ti-6Al-4V при воздействии компрессионных плазменных потоков.
1050-1105 В.А. Быков, Ан.В. Быков, А.А. Быков, В.В.Котов, С.И. Леесмент, В.В. Поляков. Скандирующая зондовая микроскопия и спектроскопия наноструктур. НТ-МДТ – приборы и возможности.
1110-1130 ПЕРЕРЫВ, кофе
1130-1230 Заседание памяти В.Е. Юрасовой.
1300-1400 Обед
1400-1930 Экскурсия
2000-2200 Ужин

24 августа, четверг

Секция № 4. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах

Председатели: В. Черныш, A. Борисов

1000-1025 Karmakar Prasanta, India
Large area isolated nano dot and wire formation by broad ion beam implantation.
1030-1055 Pandey Ratnesh, India
Radiation damage and erosion study in Tungsten Carbide thin films due to low and high energy ion irradiation
1100-1125 Liu Xiangjun, China
Focused ion beams in thermal science and engineering.
1130-1155 Volkov Alexander, Russia
Fast lattice heating in swift heavy ion tracks by nonthermal acceleration of atoms.
1200-1215 ПЕРЕРЫВ, кофе
1215-1230 Д.С. Королев, Р.Н. Крюков, К.С. Матюнина, А.А. Никольская, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, П.А. Юнин, А.А. Сушков, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Закономерности ионно-лучевого синтеза нановключений Ga2O3 в диэлектрических матрицах.
1235-1250 Е.Ю. Зыкова, А.Е. Иешкин, Н.Г. Орликовская, А.А. Татаринцев, Ю.В. Балакшин, А.А. Шемухин. Влияние протонного облучения на катодолюминесценцию плёнок нитрида галлия.
1255-1310 S.V. Konstantinov, E. Wendler, F.F. Komarov, I.V. Chizhov. Radiation tolerance and blistering effect of nanostructured CrAlN coatings under high-fluence Ar+ ion irradiation.
1315-1330 А.Ф. Зацепин, Е.А. Бунтов, В.А.Пустоваров. Фотолюминесценция наночастиц в Zn-, Mn-имплантированных слоях SiO2: экситонные и дефектные пути возбуждения.
1330-1430 Обед

24 августа, четверг

Председатели: O. Трушин, В. Углов

1430-1455 Rymzhanov Ruslan, Russia
Modification of surfaces and interfaces with swift heavy ions.
1500-1525 Uglov Vladimir, Belarus
Surface erosion of multilayer nanostructured ZrN/Si3N4 films irradiated with helium ions.
1530-1555 Stepanov Andrey, Russia
Formation of nanoporous germanium layer by low-energy implantation with transition metal ions.
1600-1615 Ф.В. Кирюханцев-Корнеев, А.Д. Сытченко, P. Feng, X. Ren, А.Ю. Потанин, Е.А. Левашов. Структура и свойства покрытий (Hf, Zr)-Mo-Si-B, полученных при магнетронном распылении гетерофазных мишеней в режиме HIPIMS.
1620-1635 Yu. Petrov, O. Vyvenko, O. Gogina, K. Bolotin, S. Kovalchuk. Люминесценция гексагонального нитрида бора, облученного ионами гелия, усиленная электронным облучением.
1640-1655 ПЕРЕРЫВ, чай
1655-1710 А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, К.С. Давыдовская, Р.А. Кузьмин. Зависимость радиационной стойкости карбида кремния от температуры облучения.
1715-1730 А.А. Никитин, С.В. Рогожкин, Н.П. Бобырь, П.А. Федин, О.В. Огородникова. Моделирование радиационных повреждений в сплавах вольфрама с использованием ионного облучения.
1735-1750 О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Р.А. Гайдукасов, А.В. Мяконьких. Получение хиральной метаповерхности методом наклонного напыления.
1800-1900 Стендовые доклады (секции 5 и 6)
2000-2200 Ужин, банкет

25 августа, пятница

Секция № 5. Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и технология.

Председатели: Ю. Гаспарян, А. Писарев

1000-1025 Pisarev Alexander, Russia
Aluminium oxidation in plasma of abnormal glow discharge.
1030–1045 A.A. Sycheva, A.A. Solovykh, E.N. Voronina, O.V. Proshina, T.V. Rakhimova, A.P. Palov, A.T. Rakhimov. Mechanisms of methyl group elimination from low‑K surface with low-energy Ar/He atoms and ions.
1050–1105 С.А. Крат, А.С. Пришвицын, Ю.М. Гаспарян. Одновременное со-осаждение нескольких изотопов водорода с металлами.
1105-1120 ПЕРЕРЫВ, кофе
1120-1135 М.К. Скаков, Ғ.Қ. Жанболатова. Изменение структурно-фазовых состояний поверхности вольфрама в результате пучково-плазменной карбидизации.
1140-1155 M.V. Grishaev, N.E. Efimov, D.N. Sinelnikov, I.A. Nikitin, Y.M. Gasparyan, E.D. Vovchenko. Time-of-flight analysis of ions from laser-induced plasma
1200-1215
 А.С. Умеренкова, Ю.М. Гаспарян, З.Р. Арутюнян, В.С. Ефимов, Н.С. Сергеев, И.А. Сорокин, Н. Остойич. Замещение изотопов гелия в вольфраме при последовательном ионном облучении
1220-1320 Заключение
1330-1430 Обед
1430
и позже 		Отъезд из Ярославля

СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

21 августа, понедельник

Секция №1. Распыление, эрозия поверхности, десорбция.

  1. Я.Д. Белов, А.Н. Куприянов, К.Н. Лобзов, В.И. Бачурин, И.И. Амиров. Моделирование распыления Al-Si с использованием машинного обучения.
  2. В.В. Евстифеев, Н.В. Костина. Энергетические пороги распыления некоторых металлов с ОЦК решеткой при их бомбардировке ионами K+.
  3. Д.С. Киреев, О.А. Стрелецкий, М.В. Самоделова, Н.Р. Яренков, Д. Р. Бессмертный, И.Н. Кутлусурин, А.Е. Иешкин. Формирование наночастиц серебра из тонких пленок облучением кластерными ионами аргона.
  4. И.М. Мамедов, И.А. Каньшин, М.С. Лобов, Н.В. Мамедов. Валидация расчетной модели распыления мишени в миниатюрном линейном ускорителе.
  5. В.С. Михайлов, П.Ю. Бабенко, А.П. Шергин, А.Н. Зиновьев. Коэффициенты распыления мишеней из бериллия и вольфрама различными атомами.
  6. А.И. Мусин, В.Н. Самойлов. Атомы, распыленные с грани (001) Ni в МД-модели с падением ионов: классификация и предыстория вылета.
  7. М.С. Михайленко, А.Е. Пестов, А.К. Чернышев, М.В. Зорина, Н. Кумар, Н.И. Чхало, Н.Н. Салащенко. Исследование поведения шероховатости поверхности основных ориентаций монокристаллического кремния при травлении ускоренными ионами инертных газов.
  8. Н.Н.Никифорова, Б.Л.Оксенгендлер, Х.Б.Ашуров, Б.Р.Кутлимуротов, С.Е.Максимов, О.Галкина. Радиационно-стимулированные процессы при взаимодействии ионов с пористыми структурами.
  9. О.В. Подорожний, А.В. Румянцев, Н.И. Боргардт. Оптимизация параметров межатомного взаимодействия при моделировании облучения кремния ионами галлия методом Монте-Карло.
  10. А.В. Румянцев, Н.И. Боргардт. Применение метода функций уровня для моделирования распыления многослойных подложек фокусированным ионным пучком.
  11. О.А. Томилина, В.Н. Бержанский, А.Л. Кудряшов, А.В. Каравайников, С.В. Томилин. Формирование пространственно-неоднородных покрытий при ионном распылении мишеней.
  12. Р.Х. Хисамов, А.М. Борисов, М.А. Овчинников, И.И. Мусабиров, Р.Р. Тимиряев, Р.Р. Мулюков. Термическая стабильность конусообразной поверхности ультрамелкозернистого вольфрама, полученной высокодозным ионным облучением.
  13. А.К. Чернышев, М.С. Михайленко, А.Е. Пестов, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало. Методики прецизионной ионно-пучковой обработки оптических поверхностей.

Секция №2. Рассеяние и эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновских лучей при ионной бомбардировке.

  1. Ш.Дж. Ахунов, Ш.М. Ахмедов, А.Ш. Раджабов, Б.Ш. Касимов, Д.Т. Усманов. Исследование угловых зависимостей выхода возбужденных молекул при бомбардировке электронами кэВ-ных энергий в ЭСД.
  2. А.С.Аширов, М.У.Отабоев, У.О.Кутлиев. Исследования энергии рассеянных ионов с поверхностью SiO2(001)<110> в зависимости от точки прицеливания.
  3. П.А.Бабаев, Ф. О. Ахметов, С.А. Горбунов, Н.А. Медведев, Р.А. Рымжанов, Р.А. Воронков, А.Е. Волков. Формирование треков быстрых тяжелых ионов в полиэтилене.
  4. Д.И. Зайнутдинов, Р.А. Воронков, С.А. Горбунов, Н.А. Медведев, Р.А.Рымжанов, М.В. Сорокин, А.Е. Волков. Температурная зависимость кинетики структурных изменений в треках быстрых тяжелых ионов в карбиде кремния.
  5. В.П. Кощеев, Ю.Н. Штанов. Компьютерное моделирование полной энергии молекулы углерода в первом порядке теории возмущений.
  6. В.С. Михайлов, П.Ю. Бабенко, А.П. Шергин, А.Н. Зиновьев. Коэффициенты отражения частиц при бомбардировке бериллия и вольфрама различными атомами.
  7. В.С. Михайлов, П.Ю. Бабенко, А.П. Шергин, А.Н. Зиновьев. Угловые и энергетические распределения распыленных атомов при бомбардировке вольфрама изотопами водорода.
  8. Л.Г. Лобанова, В.П. Афанасьев, М.В. Гришаев, Н.Е. Ефимов, И.А. Никитин, Д.Н. Синельников. Отражение протонов от слоисто неоднородных твердых тел.
  9. D.N. Sinelnikov, Y. M. Gasparyan, M.V. Grishaev, N.E. Efimov, S.A. Krat, I.A. Nikitin. Surface hydrogen isotopes detection by low angle ion scattering spectroscopy.
  10. L. Forlano and A. I. Tolmachev. Path length distribution of charged particles for the target of finite depth.

22 августа, вторник

Секция № 3. Имплантация ионов, модификация и анализ поверхности.

  1. А.А. Абдуваитов, А.Н. Уроков, Х.Э. Абдиев, М.Б. Юсупжанова, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков. Изменение состава поверхности Ti при имплантации ионов O2+ и последующего отжига.
  2. А.А. Абдувайитов, Х.Х. Болтаев, Г.А. Розиков, Ф.Я. Худайкулов. Исследование изменение состава и структуры монокристалла W(111) при имплантации ионов кислорода.
  3. Абраева С.Т., Хужаниязова А.У., Худойбердиев И.Ф., Жумаев Ж.М., Хужаниязов Ж.Б. Ташмухамедова Д.А. Изменение состава и морфологии поверхности монокристаллического Ge при бомбардировке ионами Ar+ и Na+.
  4. В.А. Андрианов, К.А. Бедельбекова. Размер зерна и текстура при имплантации атомов Fe-57 в фольги Мo и Тa.
  5. С.С. Волков, Т.И. Китаева, С.В. Николин. Анализ поверхности технологических объектов ионными и электронными пучками.
  6. Ю.А. Данилов, Ю.А. Агафонов, В.И. Бачурин, В.А. Быков, О.В. Вихрова, В.И. Зиненко, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин, А.Е. Парафин, С.Г. Симакин, П.А. Юнин, А.А. Яковлева. Свойства GaAs, облученного ионами марганца.
  7. Д.А. Здоровейщев, И.Н. Антонов, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.А. Дудин, В.П. Лесников, А.В. Здоровейщев, А.Е. Парафин, М.Н. Дроздов. Особенности ионного легирования арсенида галлия висмутом.
  8. А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, А.В. Мурель, H. Boudinov. Легирование арсенида галлия ионами элементов IV группы.
  9. Н.А. Иванов, С.А. Небогин, В.Л. Паперный, Л.И. Брюквина. Радиационные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах, наведенных потоками ускоренных ионов магния.
  10. А.И. Иванова, Д.О. Вахрушев, О.С. Корнева, А.В. Гурулев, Д.Д. Ефимов, А.А. Чернышев. Исследование высокоинтенсивной имплантации ионов титана и энергетического воздействия пучка на поверхность кремния.
  11. К.П. Карасев, Д.А. Стрижкин, В.Е.Пуха, А.И.Титов, П.А. Карасев. Моделирование поверхностных явлений при бомбардировке кремния ионами С60.
  12. Ф. Ф. Комаров, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, Y. Berencen, А. Е. Альжанова, Тин Ван, J. Ƶuk. Оптические свойства слоев кремния, гипердопированных селеном: эффекты лазерной и термической обработки.
  13. Д.С. Лукьянцев, А.В. Лубенченко, Д.А. Иванов, О.И. Лубенченко. Модификация и распыление неоднородных многослойных окисленных металлических плёнок слаботочными пучками ионов аргона.
  14. И.В. Николаев, Н.Г. Коробейщиков. Влияние бомбардировки кластерными ионами аргона на поверхность монокристалла KGd(WO4)2:Nd.
  15. А.А. Никольская, Д.С. Королев, В.Н. Трушин, А.И. Белов, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. Структурное разупорядочение и распределение примесных атомов в β-Ga2O3, подвергнутом имплантации ионов бор.
  16. Д.А. Новиков, Е.А. Маркова, В.М. Микушкин. К вопросу о диффузионных механизмах накопления приповерхностных дефектов при имплантации кремния.
  17. Д.А. Новиков, А.Е. Калядин, Н.А. Соболев, К.В. Карабешкин, В.С. Калиновский, Е.А. Гребенщикова, В.М. Микушкин. Гашение фотолюминесценции дефектами приповерхностной области GaAs, имплантированного ионами азота с энергией 250 кэВ.
  18. Е.О. Паршин, Н.С. Мелесов. Особенности дефектообразования при облучении Ga-содержащих материалов.
  19. С.Н. Подлесный, В.А. Антонов, И.А. Карташев, В.П. Попов, Ю.Н.Пальянов. Свойства NV- центров в наноструктурах (111) алмаза после травления сфокусированным пучком ионов Gа.
  20. В.В. Поплавский, О.Г. Бобрович, А.В. Дорожко, В.Г. Матыс. Особенности формирования легированных слоев на поверхности вентильных металлов в процессе ионно-ассистируемого осаждения металлов из плазмы вакуумного дугового разряда.
  21. В.В. Привезенцев, А.П. Сергеев, А.А. Фирсов, В.С. Куликаускас, А.В. Горячев. Исследование пленок оксида кремния, имплантированных цинком и окисленных при повышенных температурах.
  22. В.В. Углов, М.М. Белов, С.В. Злоцкий, А.Е. Рыскулов, И.А. Иванов, Д. Ке. Фазовая стабильность и микроструктура ОЦК-структурированных концентрированных твердых растворов, облученных ионами криптона.
  23. В.В. Углов, В.М. Холод, П.С. Гринчук, И.А. Иванов, А.Л. Козловский, М.В. Здоровец. Модификация структуры и фазового состава карбида кремния при облучении ионами гелия.
  24. Р.Х. Хасаншин, Д.В. Уваров. Пороговые значения параметров электронного облучения стекла, приводящего к электростатическим разрядам.
  25. Р.Х. Хасаншин, Л.С. Новиков. Структурные изменения поверхности стекла К-208 после протонного облучения разной интенсивности.

Секция № 4. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах.

  1. А.С. Бабушкин, А.Н. Куприянов. Исследование методом молекулярной динамики обратимой релаксации сжимающих механических напряжений в поликристаллических пленках металлов после остановки их осаждения.
  2. С.А. Горбунов, П.А. Бабаев, А.Е. Волков, Р.А. Воронков, М.В. Горшенков, Г.В. Калинина, Р.А. Рымжанов. Вариация поперечных сечений нанопор при травлении оливина, облученного быстрыми тяжелыми ионами вдоль различных кристаллографических направлений.
  3. Е.В. Калинина, И.П. Никитина, В.В. Забродский. Цикличность эффекта геттерирования при облучении 4H-SiC протонами.
  4. И.О. Косимов, Б.Е. Умирзаков, А.А. Абдувайитов, З.А. Исаханов, А.С. Халматов. Рентгено-дифрактометрический анализ оксид титана и его основные свойства.
  5. А.К. Кулешов, В.В. Углов, Д.П. Русальский, Е.А. Колесникова, Е.В. Тетеруков. Влияние облучения ионами криптона на электрические и гальваномагнитные свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия на подложках арсенида галлия.
  6. В.М. Микушкин, Е.А. Маркова, Д.А. Новиков, С.Ю. Никонов, И.Б. Суслова. Особенности омического контакта с ионно-индуцированным нанослоем p-GaAs.
  7. А.В. Проказников, В.А. Папорков, Р.В. Селюков, С.В. Васильев, О.В. Савенко. Структура и магнитные свойства многослойных наносистем на основе тонких пленок кобальта и металлов группы хрома, нанесенных магнетронным способом.
  8. А.И. Пушкарев, С.С. Полисадов. Сравнительный анализ отжига радиационных дефектов в малой и большой металлической мишени.
  9. Р.В. Селюков, В.В. Наумов, М.О. Изюмов, И.И. Амиров, С.В. Васильев, Л.А. Мазалецкий. Структура и электросопротивление пленок Pt, подвергнутых бомбардировке ионами с энергией ниже порога распыления.
  10. С.В. Томилин, А.А. Сыров, С.Д. Ляшко, В.Н. Бержанский. Влияние ионной обработки на свойства плёнок редкоземельных феррит-гранатов.
  11. М.Д. Шарков, М.Е. Бойко, П.Н. Бутенко, А.А. Заричный, А.В. Чикиряка, В.М. Крымов, В.И. Николаев. Воздействие травления ионосодержащими реактивами на фрагменты синтезированных пластин бета-оксида галлия.

24 августа, четверг

Секция № 5. Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и технология.

  1. В.К. Абгарян, Д.С. Демченко, А.В. Мельников, О.Д. Пейсахович. Высокочастотный ионный двигатель с магнитной защитой стенок разрядной камеры.
  2. И.И. Амиров, М.О. Изюмов, Н.В. Алов, П.Ю. Шаранов, Д.В. Лопаев, Т.В. Рахимова. Влияние ионной бомбардировки на скорость травления и состав поверхности пленки рутения в кислородсодержащей плазме.
  3. У.С.Андропова, О.А.Серенко, В.Н. Черник, Л.С. Новиков. Исследование степени эффективности защиты от атомарного кислорода металлоалкоксисилоксановых наполнителей разной структуры.
  4. Г.Г. Бондаренко, В.И. Кристя, М.Р. Фишер. Моделирование влияния неравномерности толщины диэлектрической пленки вдоль поверхности катода на его эмиссионные свойства в тлеющем газовом разряде.
  5. Л.И. Брюквина, Н.В. Леонова, Д.С. Глазунов, С.В. Липко. Структурные нанодефекты кристалла фторида лития, за счет влияния приповерхностной электронной плазмы, созданной высокоинтенсивными фемтосекундными лазерными импульсами.
  6. Бунтов Е.А., Арсланов К.А., Матицев А.И. Механизмы ионно-стимулированного роста цепочечного углерода, по данным молекулярной динамики.
  7. Н.Н. Бутрова, Л.В. Ашаев, Д.П. Черный, С.С. Довганюк. Исследование поверхностных слоев, образуемых на вольфраме при плазменном напылении атомов алюминия, хрома и иттрия.
  8. Е.А. Грушевский, Н.Г. Савинский, В.И. Бачурин. Процесс селективного легирования графенной структуры методом электролитно-плазменной катодной электрохимической эксфолиации графита.
  9. С.П. Зимин, И.И. Амиров, М.С. Тиванов, Н.Н. Колесников, О.В. Королик, Л.С. Ляшенко, Д.В. Жигулин, Л.А. Мазалецкий, С.В. Васильев, О.B. Савенко. Влияние ионно-плазменной обработки на морфологию поверхности и структурные свойства кристаллов GaTe.
  10. С.Е.Максимов, А.И.Камардин, А.А.Симонов, Б.Д.Игамов. Магнетронное осаждение металлических покрытий с использованием аргона, ксенона и криптона.
  11. А.Ж. Миниязов, М.К. Скаков, И.А. Соколов, Т.Р. Туленбергенов, Е.А. Кожахметов, Г.К. Жанболатова. Взаимодействие плазмы с карбидным поверхностным слоем вольфрама.
  12. О.В. Морозов. Динамика осаждения и удаления фторуглеродной пленки в циклическом процессе плазмохимического травления кремния.
  13. Н.А. Пунтаков, Л.Б.Беграмбеков, А.М. Захаров. Особенности развития пористого слоя и распыления графита при высокотемпературном интенсивном облучении ионами гелия и дейтерия.
  14. A.V. Rudakova, F.A. Doronin, G.O. Rytikov, M.A. Savel’ev, N.A. Bogdanova, A.Yu. Tsukanova and V.G. Nazarov. The effect of plasma treatment on the composition, structure and properties of filaments used in extrusion additive manufacturing.
  15. К.В. Саерова, Ш.Р. Мухаметзянов, Д.Г. Ефремов. Изменение прочностных характеристик древесных образцов, прошедших термическую и плазменную обработку, к клеевому соединению.
  16. Н.О. Степанов, Д.И. Черкез, С.С. Ананьев, А.В. Спицын. Установка для изучения взаимодействия плазмы с материалами на основе ВЧ-источника геликонного типа: первые результаты.
  17. Т.Р. Туленбергенов, М.К. Скаков, Б.Ж. Чектыбаев, А.Ж. Миниязов, И.А. Соколов. Разработка электромагнитной системы развертки первичного электронного пучка на плазменно-пучковой установке.
  18. А.В. Хлюстова, М.Н. Шипко, М.А. Степович, А.В. Агафонов, З.Х. Калажоков, Х.Х Калажоков, Н.А. Сироткин, А.А. Вирюс, В.Г. Костишин, Е.С. Савченко. Фазовый состав и магнитные свойства наноразмерных частиц оксидов железа, полученных в импульсном электрическом разряде подводной плазмы.
  19. М.В. Чиркин, С.В. Устинов, В.Ю. Мишин, В.В. Климаков, А.Е. Серебряков, В.А. Кочкин. Границы устойчивости разряда в гелий-неоновом лазере в системах инерциальной навигации.
  20. М.Б. Шавелкина, Д.И. Кавыршин, А.И Драчев. Особенности синтеза в эрозионных струях плазмoтрона постоянного тока.
  21. В.И. Шиманский, В.В. Углов, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Синтез трехкомпонентного сплава WZrCu на поверхности образцов вольфрама при импульсном плазменном воздействии.
  22. В.И. Шиманский, Д.В. Есипенко, В.В. Углов, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Плазменное модифицирование поверхности титана для повышения его термической стабильности в условиях высокотемпературного окисления.
  23. Н.Н. Черенда, Н.В. Бибик, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Структурно-фазовые изменения в системе «Cr/силумин», подвергнутой плазменному и термическому воздействию.

Секция № 6. Ионное облучение в биологии и медицине.

  1. А.В. Басалай, Н.Н. Черенда, А.Ю. Изобелло, А.П. Ласковнев, В.В. Углов, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий, Л.В. Баханович. Формирование антибактериальных поверхностных слоев в сплаве Ti-6Al-4V при комбинированном воздействии ионно-плазменных потоков.
  2. C.Ю. Карелин, П.А. Юдинцев, В.С. Филимонова, Л.А. Краснобаева, С.В.Гусакова, Е.В. Лисичко, Н.Н.Никитенков, В.С.Сыпченко. Диоксидные тонкие пленки, осажденные реактивным магнетронным распылением и их применение в биомедицине.
  3. C.Ю. Карелин, П.А. Юдинцев, В.С. Филимонова, Л.А. Краснобаева, С.В. Гусакова, Е.В. Лисичко, Н.Н.Никитенков, В.С.Сыпченко. Оксинитридные тонкие пленки, осажденные реактивным магнетронным распылением и их применение в биомедицине.